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[发明专利]阵列基板、显示装置以及阵列基板的制造方法-CN201410800496.0有效
发明人：郭建 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明的阵列基板、显示装置以及阵列基板的制造方法，其中阵列基板的制造方法包括沉积像素电极层以及源漏电极层；对源漏电极层对应于像素电极区域的源漏电极层进行干法刻蚀，暴露出像素电极，形成源电极、漏电极，源电极以及漏电极位于像素电极的上方阵列基板包括：栅绝缘层以及有源层上的像素电极；形成于像素电极上方的源电极以及漏电极；像素电极的材料是氧化铟锌，源电极、漏电极由源漏电极层刻蚀形成，源漏电极层的像素电极区域被干法刻蚀暴露形成像素电极。本发明的技术方案，像素电极位于源电极以及漏电极的下方，对源漏电极层的像素电极区域的源漏电极层进行干法刻蚀，保证像素电极层不被腐蚀。
阵列显示装置以及制造方法

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板和显示设备-CN201410334150.6有效
发明人：张锋;曹占锋;姚琪 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-07-14 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管，包括有源层、刻蚀阻挡层、源电极和漏电极，源电极包括第一源电极和第二源电极，漏电极包括第一漏电极和第二漏电极，第一源电极和第一漏电极设置于有源层上方；刻蚀阻挡层设置于第一源电极和第一漏电极上方；第二源电极和第二漏电极设置于刻蚀阻挡层上方，第一源电极与第二源电极电连接，第一漏电极与第二漏电极电连接，第一源电极、第一漏电极与刻蚀阻挡层部分重叠；源电极和漏电极通过有源层连接。本发明薄膜晶体管的沟道长度小，从而提高了薄膜晶体管的开启电流，同时本发明还改善了源漏电极与有源层的欧姆接触问题，提高了薄膜晶体管的稳定性。
一种薄膜晶体管及其制备方法显示设备

[发明专利]显示装置及制造该显示装置的方法-CN201811418169.3有效
发明人：金弘锡 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：该显示装置包括：基板；和基板上的晶体管，晶体管包括：半导体层，半导体层设置在基板上；栅极绝缘图案，栅极绝缘图案设置在半导体层上；多个栅电极，多个栅电极设置在栅极绝缘图案上；以及与栅极绝缘图案间隔开的源电极、源‑漏电极和漏电极，其中源电极与半导体层的顶表面接触，源‑漏电极与源电极相邻，多个栅电极中的一个栅电极在源电极与源‑漏电极之间，并且漏电极与源‑漏电极相邻，多个栅电极中的另一个栅电极在漏电极与源‑漏电极之间
显示装置制造方法

[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及制造薄膜晶体管的方法-CN201780000933.2有效
发明人：刘威 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所述薄膜晶体管包括：彼此间隔分开的第一源电极(20)和第一漏电极(30)；有源层(10)，所述有源层(10)位于所述第一源电极(20)和所述第一漏电极(30)上，并且具有位于所述第一源电极(20)与所述第一漏电极(30)之间的通道部(1)、与所述第一源电极(20)电连接的源电极接触部(2a)，以及与所述第一漏电极(30)电连接的漏电极接触部(3a)；第二源电极(21)，所述第二源电极(21)位于所述源电极接触部(2a)的远离所述第一源电极(20)的一侧，并且与所述第一源电极(20)电连接；以及第二漏电极(31)，所述第二漏电极(31)位于所述漏电极接触部(3a)的远离所述第一漏电极(30)的一侧，并且与所述第一漏电极
薄膜晶体管阵列显示装置制造方法

[发明专利]用于金属注入的离子源及其方法-CN201610270946.9在审
发明人： E·韦尔特斯彻;P·祖潘;W·舒斯特德;M·杰里纳克;R·埃伯维恩;F·科勒纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本公开涉及用于金属注入的离子源及其方法，具体地，用于注入机的离子源包括设置在离子源室中的第一固态源电极。第一固态源电极包括耦合至第一负电位节点的源材料。第二固态源电极设置在离子源室中。第二固态源电极包括耦合至第二负电位节点的源材料，并且第一固态源电极和第二固态源电极被配置为产生通过注入机注入的离子。
用于金属注入离子源及其方法

[发明专利]薄膜有源元件、有机发光装置、显示装置、电子器件以及薄膜有源元件的制造方法-CN200880110811.X无效
发明人：笠原健司 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2008-10-09 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜有源元件，其具备：透光性基板；形成于基板上的遮光性源电极/遮光性漏电极；形成于遮光性源电极/遮光性漏电极所属的平面上，并与遮光性源电极/遮光性漏电极之间隔着间隙而配置的透光性源电极/透光性漏电极；形成于遮光性源电极/遮光性漏电极与透光性源电极/透光性漏电极之间的间隙的通道层；以及对形成于间隙的通道层施加电场的栅电极。
薄膜有源元件有机发光装置显示装置电子器件以及制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201680088287.5有效
发明人：田中亮太;林哲也;倪威;早见泰明 -专利权人：日产自动车株式会社
申请日： 2016-08-10 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其具备：栅电极槽，其以与漂移区域、阱区域及源极区域都接触的方式形成；栅电极，其经由绝缘膜而形成于栅电极槽的表面；源电极槽，其与栅电极槽接触；源电极，其与源极区域电连接；栅极配线，其与源电极电绝缘，且以与栅电极接触的方式形成在源电极槽内。
半导体装置

[发明专利]有机薄膜晶体管以及包含这种晶体管的平板显示器-CN200510081771.9有效
发明人：具在本;徐旼彻 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-06-08 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种有机TFT包括栅电极；与栅电极绝缘的源电极和漏电极；与栅电极绝缘并与源电极和漏电极接触的有机半导体层。与有机半导体层接触、且面对漏电极的源电极的边缘部分的长度，大于与有机半导体层接触、且面对源电极的漏电极的边缘部分的长度，从而减小源电极和有机半导体层之间的接触电阻。
有机薄膜晶体管以及包含这种晶体管平板显示器

[发明专利]半导体装置-CN201710073456.4有效
发明人：林立凡;杨竣杰 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体装置包含主动层、源极电极、漏极电极、栅极电极、第一绝缘层、栅极金属层、贯穿结构、第一源极金属层、漏极金属层与第二源极金属层。源极电极、漏极电极与栅极电极置于主动层上。栅极电极置于源极电极与漏极电极之间。第一绝缘层置于源极电极、漏极电极与栅极电极上。栅极金属层置于栅极电极与第一绝缘层上。栅极金属层包含窄部与宽部。贯穿结构置于栅极金属层与栅极电极之间。第一源极金属层置于源极电极与第一绝缘层上。漏极金属层置于漏极电极与第一绝缘层上。第二源极金属层置于栅极金属层与漏极金属层之间。
半导体装置

[发明专利]半导体器件和用于形成半导体器件的方法-CN202210078806.7在审
发明人：刘世谦;张耀中;蔡俊琳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明的各个实施例针对二维载气(2DCG)半导体器件，2DCG半导体器件包括具有多个突起的欧姆源电极/漏电极，多个突起由间隙分隔开并且从欧姆源电极/漏电极的底面突出。欧姆源电极/漏电极位于半导体膜上面，并且突起从底面延伸至半导体膜中。此外，欧姆源电极/漏电极与也位于半导体膜上面的另一个欧姆源电极/漏电极分隔开。沟道层容纳2DCG，2DCG沿着异质结延伸并且欧姆耦接至欧姆源电极/漏电极和另一个欧姆源电极/漏电极。栅电极位于欧姆源电极/漏电极和另一个源电极/漏电极之间的半导体膜上面。
半导体器件用于形成方法

[发明专利]薄膜晶体管及包括薄膜晶体管的平板显示器-CN200610079397.3有效
发明人：安泽;徐旼彻;具在本 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-04-21 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：能减小泄露电流和能防止在相邻的TFT之间串扰的TFT包括：衬底；安置在衬底上的栅极电极；彼此分开并与栅极电极绝缘的源极电极和漏极电极；以及与栅极电极绝缘的半导体层，接触源极和漏极电极的每一个，并且具有将在源极和漏极电极之间的半导体层的区域至少与相邻的每个槽至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分，并且由至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分的每个槽投影到源极和漏极电极时而生成的投影图像覆盖除了面向漏极电极的源极电极的部分和面向源极电极的漏极电极的部分以外的源极和漏极电极
薄膜晶体管包括平板显示器

[发明专利]场效应晶体管和包括多个场效应晶体管的气体检测器-CN201480031221.3有效
发明人： B·W·穆瓦凯昆伽 -专利权人： CSIR公司
申请日： 2014-05-26 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：一种场效应晶体管，包括源，源包括之间具有空隙的多个电极突起。漏包括多个电极突起，所述漏的每个电极突起位于源的电极突起之间的一个空隙中，由此形成交替的漏和源突起的源‑漏电极连接区域。栅与源‑漏电极区域间隔开，由此在栅和源‑漏电极连接区域之间形成沟道，其中栅与所述沟道平行。多个纳米结构位于源‑漏电极区域中，由此在源‑漏电极连接区域中的漏和源的电极突起之间形成电连接。
场效应晶体管包括气体检测器

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710064351.2有效
发明人：藤田光一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-02-04 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：源极电极(12)具有：第1源极电极(12a)；第2源极电极(12b)，其是第2阶层或者更高阶层的电极，形成于第1源极电极(12a)之上；以及第3源极电极(12c)，其是第3阶层或者更高阶层的电极，形成于第2源极电极(12b)之上，且形成于栅极引出电极(15)的上方。栅极引出电极(15)是第2阶层或者更高阶层的电极，形成于第1源极电极(12a)之上，栅极引出电极(15)的周围被第1、第2及第3源极电极(12a、12b、12c)包围。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]具有偏移结构的薄膜晶体管-CN201110134007.9有效
发明人：金起弘;金正晥;张龙在;金正贤 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2011-05-19 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所述有源区包括：栅电极；与所述栅电极重叠的有源层；位于所述栅电极与所述有源层之间的栅绝缘层；以及包括电连接到所述有源区的源/漏电极的源/漏电极层。所述源/漏电极中的某些与所述栅电极部分重叠。所述源/漏电极中的其它源/漏电极偏移于所述栅电极。所述源/漏电极和所述栅电极被对称布置。
具有偏移结构薄膜晶体管

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200680036407.3有效
发明人：本田达也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-10-03 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的目的在于通过减小半导体膜与电极和连线的接触电阻，提高半导体膜和电极或连线的覆盖率，得到性能提高的半导体器件。本发明涉及半导体器件，包括：衬底上方的栅电极，栅电极上方的栅绝缘膜，栅绝缘膜上方的第一源或漏电极，第一源或漏电极上方的岛状半导体膜，第一源或漏电极和岛状半导体膜上方的第二源或漏电极。此外，第二源或漏电极与第一源或漏电极接触，岛状半导体膜夹在第一源或漏电极和第二源或漏电极之间。此外，本发明涉及半导体器件的制造方法。
半导体器件及其制造方法

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